A-Z晶體(tǐ)及材料 加熱爐系列 樣品處理(lǐ)設備 電(diàn)池制備設備 分(fēn)析檢測設備 其他(tā)實驗室設備 技(jì )術支持/服務(wù)培訓
碳化矽是全球最先進的第三代半導體(tǐ)材料。和第一代的矽、第二代的砷化镓材料相比，它具(jù)有(yǒu)耐高壓、高頻、大功率等優良的物(wù)理(lǐ)特性，是衛星通訊、高壓輸變電(diàn)、軌道交通、電(diàn)動汽車(chē)、通訊基站等重要領域的核心材料。科(kē)晶聯盟提供全套碳化矽基片研發的全套設備， 為(wèi)新(xīn)一代碳化矽基片的開發助力。
編 号 | 設備名(míng)稱 & P/N | 照 片 | 用(yòng) 途 |
1 | 100T壓機 |
| 将粉末預壓成圓片以便均勻蒸發或融化 |
2 | SiC 晶體(tǐ)生長(cháng) |
TSSG Sublimation | 真空感應加熱晶體(tǐ)生長(cháng)爐（ 2000 -2400oC） · 頂部籽晶溶液生長(cháng) · 升華外延生長(cháng) |
3 | 高溫退火爐 |
| 1600 – 1800oC +/- 0.1 C 精(jīng)度 |
4 | 單晶定向 |
| 晶體(tǐ)定向 |
5 | SiC晶片切割 |
| 金剛石線(xiàn)精(jīng)确切片 |
6 | SiC基片外延抛光 |
| 光潔度 《 10A |
7 | 等離子& 臭氧清洗 |
| 外延薄膜生長(cháng)前去除表面污染 |
8 | 晶片包裝(zhuāng)盒 |
| 安(ān)全包裝(zhuāng)盒運輸 |
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