A-Z晶體(tǐ)及材料 加熱爐系列 樣品處理(lǐ)設備 電(diàn)池制備設備 分(fēn)析檢測設備 其他(tā)實驗室設備 技(jì )術支持/服務(wù)培訓
| 産(chǎn)品詳細介紹 | UNIPOL-802自動精(jīng)密研磨抛光機适用(yòng)于晶體(tǐ)、陶瓷、金屬、玻璃、岩樣、礦樣、PCB闆、耐火材料、複合材料等材料的研磨抛光制樣，是科(kē)學(xué)研究、生産(chǎn)實驗理(lǐ)想的磨抛設備之一。本機設置了Ø203mm的研磨抛光盤和兩個加工(gōng)工(gōng)位，可(kě)用(yòng)于研磨抛光≤Ø80mm的平面。在研磨過程中(zhōng)兩個加工(gōng)工(gōng)位可(kě)以一定的頻率左右擺動，同時推動載物(wù)塊左右擺動，載物(wù)塊在進行自轉的同時随着研磨盤公(gōng)轉，使樣品做無規則運動，使研磨後的樣品表面質(zhì)量均勻。研磨抛光機配備的載物(wù)塊是具(jù)有(yǒu)高的平面度和平行度的精(jīng)密圓柱狀金屬塊，使研磨後的樣品表面也具(jù)有(yǒu)高的平面度，并且不會使樣品邊緣倒角，對邊緣要求高的樣品尤其适合。UNIPOL-802自動精(jīng)密研磨抛光機若配置适當的附件（GPC-50A精(jīng)密磨抛控制儀），可(kě)批量生産(chǎn)高質(zhì)量的平面磨抛産(chǎn)品。GPC-50A精(jīng)密研磨抛光儀能(néng)嚴密控制被研磨樣品的平面度和平行度。UNIPOL-802精(jīng)密研磨抛光機可(kě)以用(yòng)研磨盤加磨料的方式研磨樣品，也可(kě)以選用(yòng)抛光盤貼砂紙的方式研磨樣品，砂紙或抛光墊采用(yòng)磁力吸附的方式裝(zhuāng)卡，裝(zhuāng)卸方便。具(jù)體(tǐ)選用(yòng)砂紙研磨還是磨料研磨可(kě)根據被研磨樣品的材質(zhì)進行選擇。 |
| 操作(zuò)視頻 |
操作(zuò)視頻 |
| 主要特點 | 1、超平抛光盤（平面度為(wèi)每25mm×25mm小(xiǎo)于0.0025mm）。 2、超精(jīng)旋轉軸（托盤端跳小(xiǎo)于0.01mm）。 3、設有(yǒu)兩個加工(gōng)工(gōng)位，可(kě)同時自動研磨多(duō)個樣品。 4、主軸旋轉采用(yòng)無級調速控制方式，并設有(yǒu)數顯表實時顯示轉數。 5、配有(yǒu)定時器，可(kě)準确控制工(gōng)作(zuò)時間（0-300h之間）。 6、可(kě)選配自動滴料器或循環泵，使磨抛更加方便快捷。 |
| 主要參數 | 1、電(diàn)源：110/220V 2、功率：275W 3、磨抛盤轉速：0-250rpm 4、工(gōng)位：2個 5、支撐臂擺動次數：0-9次/分(fēn) 6、托盤端跳：0.008/180mm 7、磨抛盤：Ø203mm 8、載物(wù)盤：Ø80mm |
| 産(chǎn)品規格 | 尺寸：580mm×420mm×350mm； 重量：68kg |
| 安(ān)裝(zhuāng)條件 | 本設備要求在海拔1000m以下，溫度25℃±15℃，濕度55%Rh±10%Rh下使用(yòng)。 1、水：設備配有(yǒu)上水口及下水口，需自行連接自來水及排水 2、電(diàn)：AC220V 50Hz，必須有(yǒu)良好接地 3、氣：無 4、工(gōng)作(zuò)台：尺寸800mm×600mm×700mm，承重200kg以上 5、通風裝(zhuāng)置：不需要 |
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