A-Z晶體(tǐ)及材料 加熱爐系列 樣品處理(lǐ)設備 電(diàn)池制備設備 分(fēn)析檢測設備 其他(tā)實驗室設備 技(jì )術支持/服務(wù)培訓
| 測量膜厚範圍 | • 15nm-50um |
| 光譜波長(cháng) | • 400 nm - 1100 nm |
| 主要測量透明或半透明薄膜厚度 | • 氧化物(wù) • 氮化物(wù) • 光刻膠 • 半導體(tǐ)（矽，單晶矽，多(duō)晶矽等） • 半導體(tǐ)化合物(wù)（ALGaAs,InGaAs,CdTe,CIGS等） • 硬塗層（碳化矽，類金剛石炭） • 聚合物(wù)塗層(聚對二甲苯，聚甲基丙烯酸甲酯，聚酰胺) • 金屬膜（點擊圖片可(kě)查看詳細資料） |
| 特點 | • 測量和數據分(fēn)析同時進行，可(kě)測量單層膜，多(duō)層膜，無基底和非均勻膜 • 包含了500多(duō)種材料的光學(xué)常數，新(xīn)材料參數也可(kě)很(hěn)容易地添加，支持多(duō)重算法：Cauchy, Tauc-Lorentz, Cody-Lorentz, EMA等 • 體(tǐ)積較小(xiǎo)，方便擺放和操作(zuò) • 可(kě)測量薄膜厚度，材料光學(xué)常數和表面粗糙度 • 使用(yòng)電(diàn)腦操作(zuò)，界面中(zhōng)點擊，即可(kě)進行測量和分(fēn)析 |
| 精(jīng)度 | • 0.01nm或0.01% |
| 準确度 | • 0.2%或1nm |
| 穩定性 | • 0.02nm或0.02% |
| 光斑尺寸 | • 标準3mm,可(kě)以小(xiǎo)至3um |
| 要求樣品大小(xiǎo) | • 大于1mm |
| 分(fēn)光儀/檢測器 | • 400 - 1100 nm 波長(cháng)範圍 • 光譜分(fēn)辨率: < 1 nm • 電(diàn)源 100 -250 VAC, 50/60 Hz 20W |
| 光源 | • 5W的鎢鹵素燈 • 色溫：2800K • 使用(yòng)壽命:1000小(xiǎo)時 |
| 反射探針 | • 光學(xué)纖維探針，400um纖維芯 • 配有(yǒu)分(fēn)光儀和光源支架 |
| 栽樣台 | • 測量時用(yòng)于放置測量的樣品 |
| 通訊接口 | • USB接口，方便與電(diàn)腦對接 |
| TFCompanion軟件 | • 強大的數據庫包含500多(duō)種材料的光學(xué)常數（n：折射率，K：消失系數） • 誤差分(fēn)析和模拟系統，保證在不同環境下對樣品測量的準确性 • 可(kě)分(fēn)析簡單和複雜的膜系 |
| 設備尺寸 | • 200x250x100mm |
| 重量 | • 4.5kg |
1、通過橢偏儀、SEM、反射光譜測厚儀（進口、國(guó)産(chǎn)）三者檢測結果的對比，薄膜厚度偏差＜ 2 nm。
2、沈陽TFMS-IV膜厚儀與美國(guó)TFMS-LD薄膜測厚儀測量膜厚的平均值相差 2 nm；
3、反射光譜側厚相比于SEM測厚，操作(zuò)更加便捷，對操作(zuò)人員要求并不高。
應用(yòng)技(jì )術提示 | ·廠家配備的校準基片，請勿丢失。 ·校準基片在使用(yòng)時，要注意操作(zuò)規範，請勿劃傷或污染基片。 ·使用(yòng)結束後，需要用(yòng)無塵布将設備鏡頭和樣品台面蓋住。 ·測試過程需要在較為(wèi)潔淨的環境下進行。 ·待測基片在檢測前要注意保管和清洗，防止出現檢測樣品偏差過大。 ·檢測金屬需要注意薄膜厚度，隻有(yǒu)低于40或50nm厚度的金屬膜才可(kě)以被測量。較厚的金屬膜是不透明的，因此不能(néng)用(yòng)TFMS-LD測量，實際測量厚度取決于金屬類型。假定金屬膜表面是光滑的，下表顯示了幾種金屬的可(kě)測量厚度。
·表面粗糙度會引起散射使測量厚度減小(xiǎo)。 |
警示 | ·不要直視光源或探頭，以免傷害眼睛。 ·一定要确保光纖探頭端口連接。 ·光纖不可(kě)過度彎折。 ·鏡頭不可(kě)使用(yòng)粗糙物(wù)擦拭，防止造成鏡頭劃傷，影響檢測。 |
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